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SK海力士:成功研发全球首款业界最高层数NAND闪存,拟2023年量产

来源:网易 发布时间:2022-08-03 08:04:15
摘要:8月3日,SK海力士宣布成功研发全球首款业界最高层数的238层NAND闪存。SK海力士向客户发送了238层 512Gb TLC(Triple Level Cell)* 4D NAND闪存的样品,并计划在2023年上半年正式投入量产。公司表示,此次238层NAND闪存在达到

8月3日,SK海力士宣布成功研发全球首款业界最高层数的238层NAND闪存。SK海力士向客户发送了238层 512Gb TLC(Triple Level Cell)* 4D NAND闪存的样品,并计划在2023年上半年正式投入量产。公司表示,此次238层NAND闪存在达到业界最高堆栈层数的同时实现了全球最小的面积。

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